Новая модель светодиодов серии GaN-на-Si от компании Osram OS
03.04.2012 г.
Новый вид светодиодов, созданных на основе GaN-слоев, которые в свою очередь выращиваются на кремниевых подложках, и чей диаметр составляет всего лишь 150 мм, по своим характеристикам сравнимы со светодиодами на основе сапфировых подложек.
Компания Osram заявила про окончание исследований и ряда разработок, основной целью которых было создание нового вида светодиодов на основе нитридо-галлиевых слоев, которые осаждены на кремний.
Согласно полученных результатов, свойства новых светодиодов близки к характеристикам осветительных устройств, созданных на основе сапфировых подложек.
Заметим, что на данный момент преобладающая часть современных GaN-светодиодов производится с использованием карбидо-кремниевых или же сапфировых подложек. Начиная с марта 2011 года, известная компания Osram начала интенсивно переориентировать производственные мощности на создание GaN-светодиодов на основе четырех и шестидюймовых (150мм) сапфировых подложек, что позволит существенно снизить стоимость конечного устройства без ухудшения его характеристик.
GaN-светодиоды на кремниевой подложке150мм
Представители компании отмечают, что уже получены первые опытные образцы нового вида светодиодов, которые пройдут ряд испытаний в полевых условиях, при этом указывается, что ожидать в продаже данную новинку стоит не ранее 2014 года.
|
